تسريب تفاصيل معالج Snapdragon 8150
في السابق نقلنا لكم تسريب عن مؤتمر اطلاق معالج سناب دراكون وقد تم تأكيد ذلك مسبقاً من كوالكوم و اليوم تظهر لنا تفصيل عن معالج Snapdragon 8150 الذي سيتم اطلاقه رسمياً في 4 ديسمبر . ويوضح التسريب بعض التفاصيل حول المعالج من قبل حساب التسريبات الشهير Ice Universe . سيشمل معالج Snapdragon 8150 وحدت معالجة مركزية ثلاثية التصميم . و سيكون لدى معالج Snapdragon 8150 أربعة نوى من كريو فضية منخفضة الطاقة. وعلاوة على ذلك ، سيأتي مع ذاكرة التخزين المؤقت 128 كيلوبايت L2 لكل منها عند 1.8 غيغاهرتز كحد أقصى في مجموعة واحدة. بالإضافة إلى ذلك ، سيكون هناك ثلاثي من الذهب Kryo ، مع 256 كيلوبايت L2 لكل نواة. وسوف تدعم تردد 2.419 غيغاهرتز في مجموعة أخرى. علاوة على ذلك ، سيحتوي نواة Kryo Gold واحد على ضعف ذاكرة L2 المخبأة ، بسرعة 512 كيلوبايت وبحد أقصى تردد 2.842 جيجا هرتز.سيكون Snapdragon 8150 هو خليفة المعالج Snapdragon 845. لقد كشفت معايير القياس المسربة بالفعل أنه سيكون أقوى حل لـ معالجات Android حتى الآن. وفقا للتقارير السابقة ، من المتوقع أن يأتي معالج Snapdragon 8150 مع تصميم ثلاثي الأبعاد وحدة المعالجة المركزية الأساسية. سيكون هذا التصميم متشابهًا تمامًا مع طراز Kirin 980 و Exynos 9820. بالإضافة إلى ذلك ، سيضم هذا الجهاز جهازًا أساسيًا كبيرًا يعمل بسرعة تبلغ 2.84 غيغاهرتز. سيصاحب ذلك ثلاثة نوى متوسطة مسجلة بسرعة 2.4 جيجاهرتز ، وأربعة نوى كفاءة صغيرة سجلت عند 1.78 جيجاهرتز. وعلاوة على ذلك ، سيتم تصنيع شرائح باستخدام أحدث عملية 7nm بواسطة TSMC. ومع ذلك ، من المتوقع أن يكون حجم القالب 12.4 × 12.4 ملم. ستشهد شرائح الجيل التالي الضوء في الرابع من ديسمبر من هذا العام في قمة التكنولوجيا القادمة في هاواي.