بالمقارنة مع الجيل الأول من ذاكرة الوصول العشوائي LPDDR4X-4266 ، يتم تقليل استهلاك الطاقة للجيل الثاني بنسبة 10٪. ويمكن تحقيق ذلك بسبب استخدام عملية (10nm (10 ~ 18nm. في الوقت نفسه ، بعد ترقية الشريحة الواحدة إلى 1.5 جيجا بايت ، يمكنها توفير مساحة للجهة المصنعة لنشر سعة 6 جيجابايت / 12 جيجابايت.
ووفقًا للتقارير ، تتمتع شريحة الذاكرة الجديدة من Micron حاليًا بأعلى قدرة في هذا المجال ، ولديها حاليًا أسرع منتجات DRAM . ولكن يجب أن نذكرك أيضًا أنه في يوليو من هذا العام ، أصدرت سامسونغ لأول مرة ذاكرة LPDDR4X-4266 RAM بسعة 16 جيجا بايت ، والتي تعتمد أيضًا على عملية 10nm المتقدمة.
تُظهر البيانات أن ذاكرة LPDDR4X قد تم تقديمها لأول مرة من قِبل Samsung والشركات المصنعة الأخرى. إنها تقلل بشكل أساسي من جهد Vddq في الذاكرة LPDDR4 من 1.1V إلى 0.6V ، بينما تظل Vdd2 غير ثابتة عند 1.1V. مقارنة LPDDR4 ، LPDDR4X لديه جهد أقل ، مما يقلل بشكل فعال من استهلاك طاقة الذاكرة.
في الوقت الحالي ، يمكن لـ Kirin 980 فقط دعم أعلى ذاكرة LPDDR4X-2133 في المجال. ومع ذلك ، مع الزيادة في متطلبات سرعة نقل البيانات في عصر الجيل الخامس ، سيصبح LPDDR4X عالي السعة وذات السعة العالية الاتجاه السائد. وستوفر رقائق الذاكرة الجديدة من ميكرون أداء معالجة بيانات أفضل للحوسبة وتطبيقات متنقلة كثيفة البيانات مثل AI و AR و الفيديوهات الـ 4K.